• 918博天堂·(中国区)官方网站

    设备详细介绍

    热氮烘干机

    Photoresist Plasma Ashing System

    发布时间：2013-01-25 | 【打印】 【关闭】

     

      型　  号： HG – 2

      功　  能：

    • 基片的烘干处理
      Drying wafers

      主要配置：

    • 基片(Wafers)：直径小于150 mm的各种基片(up to 150 mm wafers)
    • 流量(Gas flow)：40 L /min for N2
    • 压力(Pressure)：0.35 ~ 0.6 MPa
    • 承片架转速(Rotation rate of holder)：7 ~ 40 rmp
    • 温度(Temperature): 70 ℃

      技术特点：

    • 氮气压力可调
      Adjustable pressure of nitrogen
    • 加热均匀
      Uniform heating